早稲田大学と東芝メモリ株式会社が連携活動協定締結

2018/7/25 17:33

早稲田大学と東芝メモリは研究開発において両者が協力して活動する連携活動協定を締結しました。本協定により、両者は「半導体集積回路設計技術」、「半導体デバイス・製造・プロセス技術」、「情報処理技術」等の分野において必要なメモリ技術に関する最先端の研究開発に取り組みます。

2018-07-25

早稲田大学

早稲田大学と東芝メモリ株式会社が連携活動協定締結

最先端のメモリ技術開発、若手科学技術者の育成に向けた人材交流

早稲田大学理工学術院総合研究所（東京都新宿区、所長　木野邦器）と東芝メモリ株式会社（本社：東京都港区、代表取締役社長　成毛康雄）は、2018年7月24日に研究開発において両者が協力して活動する連携活動協定を締結しました。

現在、AIやIoTの進展を背景に将来的なデータ量の増加が予想され、フラッシュメモリの大容量化、高性能化が必要とされています。本協定により、両者は「半導体集積回路設計技術」、「半導体デバイス・製造・プロセス技術」、「情報処理技術」等の分野において、高度情報化社会を支えるために必要なメモリ技術に関する最先端の研究開発に取り組みます。また、人材交流を通じて若手科学技術者の育成、および研究活動を協力して進めます。この連携により、メモリに関する科学技術の発展に貢献することを目指しています。

早稲田大学では、技術アイデアの検証を目的としたフィージビリティ研究等を通じ、革新的な基盤技術につながる共同研究テーマの創出を期待しています。

一方、東芝メモリ株式会社では、産学連携に関して初めての連携活動協定となり、次世代以降を含むメモリ技術の開発を加速し、将来のメモリ事業の拡大につながることを期待しています。

本協定の運営にあたっては、両者の代表からなる「運営委員会」を設置し、「運営委員会」での議論を通して、取り組む研究・開発・人材育成等に対する共通の認識を醸成し、多様かつ創造的な連携関係を構築していきます。

本プレスリリースは発表元が入力した原稿をそのまま掲載しております。また、プレスリリースへのお問い合わせは発表元に直接お願いいたします。

プレスリリース原文(PDF)