APCSCRM（GaN、AIN、BIN、Ga203、ZnO、ダイヤモンドなど）の招待専門家一覧

AsiaNet 74033（1076）

【北京2018年6月19日PR Newswire＝共同通信JBN】

＊他の研究者からの論文も募集

2018年7月9日から12日に開催予定のAPCSCRM会議はアジア太平洋地域から高名な専門家を招待した。ワイドバンドギャップ半導体材料の成長、デバイス準備とパッケージング、デバイスモジュール・アプリケーションの分野のアイデアとテクノロジーについて学び、意見交換するために集結する。以下は招待された専門家の一部の簡単な紹介（敬称略）。

1. 新井学（あらい・まなぶ、新日本無線株式会社、日本）

論文タイトル：Comprehensive Review of Widebandgap Semiconductor Devices

2. シェンチン・チュー（Hsien-Chin CHIU、長庚大学、台湾）

論文タイトル：Package and Module Development of Six-inch Silicon-based GaN Power and Microwave Devices

3. アンディ・チュアン（Andy CHUANG、Episil Technologies Inc., 台湾）

論文タイトル：SiC Foundry Introduction from Episil

4. 土方泰斗（ひじかた・やすと、埼玉大学、日本）

論文タイトル：A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model

5. 岩室憲幸（いわむろ・のりゆき、筑波大学、日本）

論文タイトル：Recent Progress of SiC MOSFET Devices

6. グオヨウ・リュー（Guoyou LIU、Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.、中国）

論文タイトル：The Application Prospect of SiC Devices in Rail Transit

7. 松浦秀治（まつうら・ひではる、大阪電気通信大学、日本）

論文タイトル：Electrical Characterization of Wide Band-Gap Semiconductors Using Hall-effect Measurements

8. 水原徳建（みずはら・とくやす、ROHM Semiconductor（Shanghai）Co., Ltd.、日本）

論文タイトル：Market Applications of Power Devices（SiC）- Characteristics and Applications of SiC Power Devices

9 ユフェン・チュ（Yufeng QIU、Global Energy Internet Institute、中国）

論文タイトル：The Application of SiC Devices into Future Power Grid

10. グオシェン・スン（Guosheng SUN、Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co. Ltd., Institute of Semiconductors, CAS　中国）

論文タイトル：Review of Structures and Origins of Triangular-shaped Defects in 4H-SiC

11. シューフィ・ウェン（Xuhui WEN、Institute of Electrical Engineering, CAS、中国）

論文タイトル：Technical Approaches towards Ultra-high Power Density SiC Inverter in Electric Vehicle Applications

12. Q. ジョン・チャン（Q. Jon Zhang、ノースカロライナ州立大学、米国）

論文タイトル：Current Status and Future Perspectives of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Applications

会議はまた、ワイドバンドギャップの半導体材料、デバイス、大学、研究機関、企業、国内外の機関でのアプリケーションの専門的・技術的人員向けに提出された論文を専門に扱う。

▽提出手順

1. APCSCRMウェブサイトでドラフトを提出（提出手順：http://www.apcscrm2018.iawbs.com 、submissionにて）

2. 要約提出期限：2018年6月30日

3. 全文提出期限：2018年7月31日

4. 論文の審査ステータスに注意を（APCSCRMオンライン提出システム）

ソース：Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology

Experts Invited to Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, diamonds, etc.)

PR74033

BEIJING, June 19, 2018 /PRNewswire=KYODO JBN/ --

-- Call for Papers from Other Researchers

The APCSCRM conference, which will be held July 9-12, 2018, invited well-known

experts from the Asia-Pacific region to gather together to learn and exchange

ideas and technologies in the areas of wide bandgap semiconductor material

growth, device preparation and packaging, and device module applications. The

following is a brief description of some invited experts:

NO. Name                          Report Title

1   Manabu ARAI(New JRC, Japan)   Comprehensive Review of Widebandgap

                                  Semiconductor Devices      

2   Hsien-Chin CHIU(Chang Gung    Package and Module Development of  

    University, Taiwan)           Six-inch Silicon-based GaN Power

                                  and Microwave Devices

3   Andy CHUANG(Episil            SiC Foundry Introduction from Episil

    Technologies Inc., Taiwan)

4   Yasuto HIJIKATA(Saitama       A Macroscopic Simulation of the SiC

    University, Japan)            Thermal Oxidation Process based on

                                  the Si and C Emission Model

5   Noriyuki IWAMURO(University   Recent progress of SiC MOSFET Devices

    of Tsukuba, Japan)

6   Guoyou LIU(Zhuzhou CRRC       The Application Prospect of SiC

    Times Electric Co.,Ltd.,      Devices in Rail Transit

    China)

7   Hideharu MATSUURA(Osaka       Electrical Characterizationof Wide

    Electro-Communication         Band-Gap Semiconductors Using

    University, Japan)            Hall-effect Measurements

8   Tokuyasu MIZUHARA(ROHM        Market Applications of Power Devices

    Semiconductor(Shanghai)       (SiC)-Characteristics and Applications

    Co., Ltd., Japan)             of SiC Power Devices

9   Yufeng QIU(Global Energy      The Application of SiC Devices into

    Internet Institute, China)    Future Power Grid

10  Guosheng SUN(Dongguan         Review of Structures and Origins of

    Tianyu Semiconductor          Triangular-shaped Defects in 4H-SiC

    Technology Co. Ltd.,

    Institute of Semiconductors,

    CAS, China)

11  Xuhui WEN(Institute of        Technical Approaches towards Ultra-high

    Electrical Engineering,       Power Density SiC Inverter in Electric

    CAS, China)                   Vehicle Applications

12  Q. Jon ZHANG(North            Current Status and Future Perspectives

    Carolina State University,    of Wide Bandgap Semiconductor Devices

    USA)                          and Applications

The conference is also dedicated to the submission of manuscripts for

professional and technical personnel with wide band gaps in semiconductor

materials, devices, and applications in universities, research institutes, and

enterprises and institutions at home and abroad.

Submission instructions:

1.Submit draft via APCSCRM website:

(Submission Instructions: http://www.apcscrm2018.iawbs.com, submission)

2. Abstract submission deadline: June 30, 2018.    

3.Full paper submission deadline: July 31, 2018.    

4.Please pay attention to the review status of the paper (APCSCRM online

submission system).

SOURCE  Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology