超伝導体Sn1-xAgxTeの高圧合成に成功～トポロジカル結晶絶縁体の超伝導化に新ドーピング手法～

2016/3/28 14:30

20160328

首都大学東京

【研究成果報告】超伝導体Sn1-xAgxTeの高圧合成に成功～トポロジカル結晶絶縁体の超伝導化に新ドーピング手法～

　首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻水口佳一助教らの研究グループは、トポロジカル結晶絶縁体であるSnTeにAgを部分置換することで、新しい超伝導体Sn1-xAgxTeを合成することに成功しました。

　トポロジカル結晶絶縁体として注目されているSnTeは、SnをInで部分置換することで超伝導化することが知られており、トポロジカル超伝導体である可能性が示されています。一方、SnTeを超伝導化するドーピング手法はIn置換に限られており、超伝導機構解明を目指すためには新たなドーピング手法によるSnTe系新超伝導体の開発が求められていました。

　本研究グループは、高圧合成法を駆使し、常圧環境下では得られないSn1-xAgxTe（x = 0-0.5の広いドーピング領域）の合成に成功し、Sn1-xAgxTeが超伝導体であることを発見した。今回得られたSn1-xAgxTe超伝導体の物性を詳細に研究することで、新たなトポロジカル超伝導体の発見が期待され、また、高圧合成法を駆使したSnTe系新物質のさらなる開拓が期待されます。

【当該研究のポイント】

○研究者について

　・首都大学東京電気電子工学専攻　水口佳一助教、三浦大介准教授

○研究成果のポイント

　・トポロジカル結晶絶縁体SnTeを超伝導化する新たなドーピング手法を発見した。

　・高圧合成法を駆使した新規超伝導体Sn1-xAgxTeの合成に成功。

　・SnTe系の新物質開発に高圧合成法が有効であることを示した。

※平成28年４月　日本物理学会刊行の英文誌「Journal of the Physical Society of Japan」

（オンライン版）に詳細掲載予定。

※詳細は添付PDF資料を参照ください。

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