組込みメモリ開発のフローディアが開発する高品質フラッシュメモリが、 中国ファウンドリ大手HHGraceの180nmBCDプロセスで利用可能に

株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）は、自社が開発した高品質埋め込み型不揮発性メモリのIPコア「LEE フラッシュZT」（以下「ZT」）が、中国の大手ファウンドリ（半導体製造企業）、Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation（HHGrace）の180nmBCDプロセスで利用可能になったことを発表しました。

ZTは、標準ロジックおよびBipolar-CMOS-DMOS（BCD）プロセスと完全に互換性があります。一般的なフラッシュメモリのIPコアと異なり追加のマスク（シリコンウエハー上に回路パターンを転写するための原版）や工程を必要としないことから、製造コストを抑えることが可能です。数kビットのメモリ容量をサポートし、150℃の環境下において10年間のデータ保持と最大10万回の書き換えが可能です。また、データの書き込みと消去にFNトンネリング方式を採ることから、こうした動作をする際の消費電力が低いといった特徴も備えます。

ZTは、日本のIDM（設計から製造、販売までを一貫して行う半導体メーカー）数社による採用実績があり、駆動系、圧力センサー、モータードライバー、エンジン制御等、さまざまな自動車アプリケーションに向けたマイコンに集積されています。 HHGrace の180nmBCDプロセスに採用されたZTの容量は、自動車および産業用途のチップに最適な4kビットで、出荷後のチップのトリミングやキャリブレーションに加え、頻繁なID更新等をサポートします。今回HHGraceで製造が始まるのは中国国内の半導体メーカーの自動車用チップで、2022年に量産展開を予定しています。

本プレスリリースに関する問い合わせ先： https://floadia.com/jp/#contact

【 株式会社フローディアについて 】

日立製作所やルネサステクノロジ（現ルネサスエレクトロニクス）で、組込み型不揮発性メモリを20年以上にわたり開発していた経験豊富なエンジニア達が独立して2011年に設立しました。マイコン、パワー半導体、センサー等に使われる、組込み型の不揮発性（電源を切っても記憶内容を維持する）メモリ製造に必要な工程や回路設計を、知的財産（IP）として半導体メーカーにライセンス提供する事業を展開しています。当社の不揮発性メモリ技術は、競合他社のメモリ技術に比べて、データの書込み・消去時の消費電力が100万分の1と極めて低い上、耐熱性に優れ、チップへの集積に必要な追加コストを1/3程度にまで低減できるといった特徴があります。こうした特徴からすでに国内半導体メーカーの車載用マイコンに搭載されている他、台湾のファウンドリにも採用され、このファウンドリが製造するスマートフォン用部品の組込メモリとして利用されています。

【Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation（HHGrace）について 】

2011年にHua Hong Semiconductor社（華虹半導体）とGrace Semiconductor Manufacturing社（GSMC、宏力半導体製造）が合併して設立された、中国のHuahong Groupグループのファウンドリ会社。組込み型不揮発性メモリ、パワーデバイス、アナログ製品などに焦点をあてたプロセスプラットフォームを特徴としています。

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